VBJ125N5K - VBsemi MOS管制造商

VBJ125N5K 产品详细

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参数
应用
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产品简介：

VBJ125N5K是由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有以下详细参数：

- VDS(V): 250V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 20V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 1500mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 0.3A - 漏极电流
- Technology: Trench - 使用沟槽技术制造
- 封装: SOT223 - SOT223封装形式

VBJ125N5K MOSFET适用于需要小功率、小尺寸和低功率特性的应用，包括小型电源模块、信号放大器模块和电源管理模块等领域。

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产品参数：

产品型号: VBJ125N5K
品牌: VBsemi
参数: Single N
VDS(V): 250
VGS(±V): 20
Vth(V): 3
VGS=10V(mΩ): 1500
ID (A): 0.3
Technology: Trench
封装: SOT223

领域和模块应用：

VBJ125N5K适用于多种领域和模块，例如：

1. 小型电源模块: 由于其小型SOT223封装和低功率特性，VBJ125N5K适用于小型电源模块，如便携式设备、智能传感器和小功率电子产品。其低导通电阻和沟槽技术制造的优势使其能够实现节能和高效能量转换。

2. 信号放大器模块: 该器件适用于信号放大器模块，如音频放大器、传感器接口电路和放大器。其低功率特性和稳定性能使其能够在信号放大领域中稳定工作，并提供清晰、稳定的信号放大。

3. 电源管理模块: VBJ125N5K适用于小功率的电源管理模块，例如低功率的DC-DC转换器、电池充电管理和功率开关控制器。其小型封装和低功率特性使其能够适应小型电源管理系统的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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