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VBJ1252K 产品详细

产品简介:

VBJ1252K是一款适用于低功率电源、电源开关、LED照明、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSFET。

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产品参数:

参数:
- 极性:单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):250V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2000mΩ
- 最大漏极电流(ID):0.79A
- 技术:Trench(沟道)
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. **低功率电源模块**:
- VBJ1252K适用于低功率电源模块,如小型电源适配器、便携式充电器和低功耗电子设备。其低额定漏极-源极电压和漏极电流使其能够提供稳定的电源输出,适用于各种低功率电子设备。

2. **电源开关模块**:
- 由于其低漏极电流和较高的漏极-源极电阻,VBJ1252K可用于设计和制造电源开关模块,如电源开关、电子开关和低功耗电路。它可以提供可靠的开关功能,并节省能源。

3. **LED照明驱动器**:
- 在低功率LED照明系统中,如小型照明灯具、指示灯和背光模块,VBJ1252K可用作LED驱动器模块的关键部件。其特性使其能够提供稳定的电流输出,实现LED的高效驱动。

4. **传感器接口模块**:
- 对于需要低功耗和可靠性的传感器接口电路,如工业自动化、智能家居和医疗设备,VBJ1252K是一个理想的选择。其参数使其适用于传感器接口模块,能够实现传感器信号的处理和传输。

5. **便携式电子产品**:
- 在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和便携式电源中,VBJ1252K可用作功率开关器件。其低功耗和小尺寸使其成为这些产品中的理想组件,能够提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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