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VBJ1203M 产品详细

产品简介:

VBJ1203M是一款高性能的单路 N 沟道场效应管,适用于各种中小功率电子设备和模块。其特点包括高额定漏极-源极电压、低漏极电流和高稳定性,使其在多种应用场景下具有优异的性能表现。适用于中小功率电子设备和模块,包括电源管理模块、LED驱动器和工业控制系统等领域。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单路 N 沟道场效应管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 283
- 最大漏极电流 (ID): 3A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: SOT223

领域和模块应用:


应用举例:
1. 电源管理模块: VBJ1203M可用作中小功率电源管理模块中的功率开关和电压调节器,提供稳定可靠的电源输出,适用于各种便携式电子设备和消费电子产品。
2. LED驱动器: 在LED照明领域,VBJ1203M可用于LED驱动器模块中的功率转换和电流调节,帮助实现高效能量转换和亮度调节。
3. 工业控制模块: 在工业控制系统中,VBJ1203M可用于信号开关、电机驱动和电源管理等部分,提供可靠的功率控制和电气隔离。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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