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VBJ1201K 产品详细

产品简介:

VBJ1201K是VBsemi公司推出的Single N型沟道MOSFET,具有以下特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为200V,适用于中等电压应用;
- 门极-源极电压(VGS)为±20V,具有较大的工作范围;
- 阈值电压(Vth)为3V,具有优异的开启特性;
- 在门极电压为10V时的导通电阻(RDS(on))为1200mΩ,导通电阻较高,适用于低功率应用;
- 最大漏极电流(ID)为1A,适用于小功率应用;
- 采用Trench技术,具有稳定可靠的性能;
- 封装形式为SOT223,适合于小型模块和空间受限的应用场合。

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产品参数:

产品型号:VBJ1201K
品牌:VBsemi
参数:
- Single N型
- VDS(V):200
- VGS(±V):20
- Vth(V):3
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1200
- ID (A):1
- 技术:沟道MOSFET(Trench)
封装:SOT223

领域和模块应用:

应用简介:
VBJ1201K适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源管理模块:由于其低功率特性,VBJ1201K可用于低功率电源管理模块,如电池充电管理、小型稳压器和开关电源等,提供可靠的电力转换和管理功能。
2. 传感器接口模块:在传感器和微控制器接口电路中,VBJ1201K可用于信号放大、开关控制和保护功能,实现稳定可靠的传感器数据采集和处理。
3. 小型电路模块:由于其小型封装和低功耗特性,VBJ1201K适用于各种小型电路模块,如智能家居控制、便携式电子产品和嵌入式系统等,提供稳定可靠的电源和控制支持。
4. LED驱动模块:在小型LED灯具和指示灯驱动电路中,VBJ1201K可用于LED驱动和亮度控制,实现节能高效的照明解决方案。
5. 摄像头模块:在数码相机和摄像头系统中,VBJ1201K可用于图像传感器接口、电源管理和驱动控制,提供高质量的图像采集和处理功能。

以上是VBJ1201K产品在各个领域和模块中的应用示例,说明了其在不同应用场景下的优势和适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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