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VBJ1152M 产品详细

产品简介:

VBsemi VBJ1152M是一款单极N型MOSFET,具有150V的最大漏极-源极电压和3A的最大漏极电流。采用沟槽型结构(Trench)技术,有利于降低导通时的电阻,提高了开关速度和功率密度。阈值电压为2.5V,且在10V的栅极电压下,具有约283mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBJ1152M在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):283
- 最大漏极电流(ID):3A
- 技术:Trench(沟槽型结构)
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **小功率电源模块:** VBsemi VBJ1152M适用于小功率电源模块,如便携式充电器、手机充电器等,用作功率开关器件,实现电源的开关控制和电流调节,提供稳定的电源输出。

2. **消费类电子产品:** 在消费类电子产品中,如电视机、音响等,VBsemi VBJ1152M可用作电源管理器件,用于控制电源开关和电流传输,确保设备的安全运行和节能效果。

3. **医疗器械模块:** VBsemi VBJ1152M可用于医疗器械模块中,如医疗监测设备、医疗影像设备等,用作功率开关器件,实现设备的控制和数据传输,确保医疗设备的高效运行和数据准确性。

4. **LED照明驱动器:** 在LED照明驱动器中,VBsemi VBJ1152M可用作功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和灯光效果,提供高效的照明解决方案,适用于家庭、商业和工业照明场景中的小功率应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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