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VBJ1104N 产品详细

产品简介:

VBJ1104N 是一款单个 N 型 MOSFET,具有适中的电压和电流承受能力,以及较低的阈值电压和导通电阻。VBJ1104N 具有广泛的应用潜力,可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中。

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产品参数:

**参数:**
- 单个 N 型 MOSFET
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- 阈值电压(V): 1.8
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 36
- ID (A): 6.4
- 技术:沟道(Trench)
**封装:** SOT223

领域和模块应用:


以下是该产品适用于的领域和对应的模块:

1. **电源管理模块**:由于 VBJ1104N 具有较低的导通电阻和阈值电压,适合用于低功率电源管理模块中的功率开关和调节器。例如,可用于便携式设备、嵌入式系统和消费电子产品的电源管理模块,以提供高效能和长电池寿命。

2. **LED 照明模块**:在 LED 照明系统中,VBJ1104N 可以用作功率开关,用于 LED 驱动电路中的电流控制和调节。其低导通电阻有助于减少功率损耗,并提高 LED 灯具的亮度和稳定性。

3. **汽车电子模块**:在汽车电子领域,VBJ1104N 可以用于汽车电子模块中的功率开关和控制器。例如,可用于车载电源管理模块、车灯控制模块等,帮助提高汽车电子系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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