VBJ1101M - VBsemi MOS管制造商

VBJ1101M 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

- Single N: 单N沟道型器件
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为100V，表示器件可以承受的最大工作电压。
- VGS(±V): 栅极-源极电压为正负20V，表示器件的栅极电压范围。
- Vth(V): 阈值电压为1.8V，表示器件的启动电压。
- VGS=4.5V(mΩ): 当栅极-源极电压为4.5V时，漏极-源极间的导通电阻为120mΩ。
- VGS=10V(mΩ): 当栅极-源极电压为10V时，漏极-源极间的导通电阻为100mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为5A，表示器件可以承受的最大漏极电流。
- Technology: 采用沟槽技术(Trench)，提供更高的性能和可靠性。
- 封装：SOT223，适合表面贴装电路板上的应用。

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产品参数：

参数：
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.8
- VGS=4.5V(mΩ): 120
- VGS=10V(mΩ): 100
- ID (A): 5
- Technology: Trench
封装：SOT223

领域和模块应用：

应用简介：
VBJ1101M适合用于以下领域和模块：
1. 低功率电源模块：由于其低漏极电流和低导通电阻，适用于低功耗电源、电池管理和移动设备模块，提供高效的能源转换和节能功能。
2. 电压调节器：可用于稳压电路、电压调节和功率管理模块，提供稳定的输出电压和电流调节功能。
3. 汽车电子：适用于车载电源、车载电器和车载控制模块，提供可靠的电源开关和电路保护功能，同时满足汽车工作环境的要求。
4. 智能家居：可应用于智能插座、智能开关和智能灯具控制模块，提供稳定的电力供应和远程控制功能。
5. 传感器接口：适用于传感器信号处理和接口电路，提供稳定的信号放大和传输功能，用于各种传感器模块的接口处理。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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