VBI8322 - VBsemi MOS管制造商

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VBI8322是VBsemi品牌生产的单路P型场效应晶体管，采用沟道工艺技术制造。具有优异的性能参数和SOT89-6封装形式，适用于多种电路应用。

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产品参数：

**VBI8322**

**品牌：** VBsemi
**参数：**
- **Single P:** 单路P型场效应晶体管
- **VDS(V):** 集电-源极电压：-30V
- **VGS(±V):** 栅源极电压范围：±20V
- **Vth(V):** 阈值电压：-1.7V
- **VGS=4.5V(mΩ):** 栅源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻：26mΩ
- **VGS=10V(mΩ):** 栅源极电压为10V时的漏极-源极电阻：22mΩ
- **ID (A):** 漏极电流：-6.1A
- **Technology：** 沟道工艺
- **封装：** SOT89-6

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **汽车电子模块：** VBI8322可用于汽车电子模块中的发动机控制单元（ECU）和车身控制单元（BCU）。其高阈值电压和低漏极-源极电阻使其能够实现高效的电动汽车控制，提高汽车的性能和能效。

2. **工业自动化模块：** 在工业自动化模块中，VBI8322可用于高压电源和开关电路。其稳定的性能和高漏极电流使其能够可靠地驱动各种工业设备，提高生产效率和安全性。

3. **无线通信模块：** 在无线通信模块中，VBI8322可用于功率放大器和调制解调器电路。其低漏极-源极电阻和适中的漏极电流使其能够提供稳定的功率输出，确保通信信号的传输质量。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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