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VBI3328 产品详细

产品简介:

VBI3328是一款双N+P 型MOSFET,由于漏极电流 (ID)极低,可用于设计低压电路保护模块;
其封装形式为SOT89-6。

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产品参数:

产品型号: VBI3328
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 双N+P 型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 30V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 26
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 22
- 漏极电流 (ID): 5.2A
- 技术: Trench
封装: SOT89-6

领域和模块应用:

这款 VBI3328 产品适用于以下领域和模块:
1. 低压电路保护: 由于其低漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计低压电路保护模块,如过流保护和过压保护电路。
2. 信号开关: 适用于设计信号开关模块,如音频信号开关和视频信号切换器,以实现信号的切换和分配。
3. 电池管理系统: 可用于设计电池管理系统模块,包括电池充放电控制和电池保护功能,如移动设备电池管理和电动车电池管理。
4. 小功率电源: 适用于设计小功率电源模块,如便携式充电器、电子玩具和无线传感器节点,以提供稳定的电力供应。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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