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VBI2102M 产品详细

产品简介:

VBI2102M是VBsemi公司推出的一款高性能单P型场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有可靠的漏极-源极电压和栅极-源极电压,以及较低的阈值电压,适用于各种功率电路设计,能够满足不同应用场合的需求。采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性。SOT89封装适用于小型功率电路,具有良好的散热性能和安装方便性。

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产品参数:

**产品型号:** VBI2102M
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 电源类型:Single P
- 最大漏极-源极电压(VDS):-100V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-2V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):230
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):200
- 最大漏极电流(ID):-3A
- 技术:Trench
**封装:** SOT89

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. 手持式电子设备模块:VBI2102M可用于手持式电子设备模块中的电源管理和功率控制,如智能手机、平板电脑等,确保设备的高效稳定运行,并延长电池寿命。
2. LED驱动模块:在LED驱动模块中,VBI2102M适用于LED灯条和灯泡的电流调节和驱动控制,提供稳定的亮度和节能效果。
3. 无线通信模块:由于VBI2102M具有较低的漏极-源极电阻和较低的阈值电压,可用于无线通信模块中的功率放大和信号调节,提高通信系统的性能和覆盖范围。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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