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VBI1695 产品详细

产品简介:

VBI1695是一款单N沟道MOSFET,适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。此外,采用Trench技术,具有较低的栅极-源极电阻,能够提供更高的效率和更低的导通损耗。

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产品参数:

参数:
- 结构:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):60V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 栅极-源极电阻(VGS=4.5V):88 mΩ
- 栅极-源极电阻(VGS=10V):76 mΩ
- 额定漏极电流(ID):5.5A
- 技术:Trench
- 封装:SOT89

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源模块:由于VBI1695具有较高的额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适合用于设计稳定性高、负载能力强的电源模块,如开关电源、DC-DC转换器等。
2. 电机驱动模块:在需要控制电机的电路中,VBI1695可用作功率开关管,能够提供稳定的电流输出,确保电机正常运行。例如,用于电动汽车的电机控制模块中的逆变器部分。
3. LED照明模块:作为LED驱动电路中的开关元件,VBI1695能够控制LED的亮度和开关,适用于室内照明、汽车照明等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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