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VBI165R01 产品详细

产品简介:

VBI165R01是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有具有较高的漏极-源极电压和低的漏极电流,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等应用。

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产品参数:

### 详细参数说明

- **类型:** Single N MOSFET
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±30V
- **阈值电压 (Vth):** 3.5V
- **栅极-源极电阻 (RDS(on)) @ VGS=4.5V:** 8000 mΩ
- **栅极-源极电阻 (RDS(on)) @ VGS=10V:** 6400 mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 1A
- **技术:** Plannar

领域和模块应用:

### 适用领域和模块

1. **电源管理模块:** 由于具有较高的漏极-源极电压和低的漏极电流,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等应用。其低阈值电压和较高的栅极-源极电阻使其能够有效控制开关电源的输出。

2. **照明应用:** 在LED照明驱动器等照明应用中,VBI165R01可作为开关器件,具有适当的漏极-源极电压和漏极电流,有助于实现高效的能量转换和精准的亮度调节。

3. **电动车充电模块:** 该产品的高漏极-源极电压和适中的漏极电流使其适用于电动车充电模块中的开关器件,能够实现对电池的有效充电和保护功能。

4. **工业自动化:** 在工业自动化设备中,VBI165R01可以作为开关器件,用于实现电机驱动、电源开关和其他控制功能,具有较高的可靠性和稳定性。

以上是针对产品 VBI165R01 的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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