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VBI1322G 产品详细

产品简介:

VBI1322G是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要参数包括耐压(VDS)为30V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为SOT89。

VBI1322G适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

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产品参数:

产品型号:VBI1322G
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ):30
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):22
- ID (A):6.8
- Technology:Trench
封装:SOT89

领域和模块应用:

应用举例:
1. **电源管理模块**:由于VBI1322G具有中等功率特性和较小封装体积,适合用于电源管理模块中的功率开关控制,例如用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等。

2. **医疗电子模块**:在医疗设备中,VBI1322G可以作为医疗电子模块中的功率开关器件,用于控制医疗设备的电源和操作状态,确保医疗设备的稳定和安全。

3. **工业控制模块**:在工业自动化系统中,VBI1322G可用于控制和驱动工业机器人、传感器和执行器等,实现工业生产过程的自动化和智能化。

4. **通信设备模块**:作为通信设备中的电源管理器件,VBI1322G可以应用于通信基站、无线路由器和网络设备等,实现设备的功率控制和管理功能。

综上所述,VBI1322G适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中,包括电源管理模块、医疗电子模块、工业控制模块以及通信设备模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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