MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBI1322 产品详细

产品简介:

该产品是一款单极性N沟道场效应管,具有30V的额定漏极-源极电压和6.8A的最大漏极电流。在VGS=2.5V时,漏极-源极导通电阻为30mΩ,在VGS=4.5V时为22mΩ。其阈值电压为1.7V,采用沟槽型技术制造。封装为SOT89。

VBI1322适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其小型封装和低功耗特性使其适用于需要紧凑结构和高效能的电子设备和系统。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号:VBI1322
品牌:VBsemi
参数:
- 单极性N沟道场效应管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS):30V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):30
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):22
- 最大漏极电流(ID):6.8A
- 技术:Trench(沟槽型)
封装:SOT89

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源管理**:VBI1322可用作电源管理模块中的开关管,用于调节电源的输出稳定性和效率。由于其中等功率和低功耗特性,适用于电源管理系统的紧凑空间和高效能要求。

2. **车载电子**:在车载电子系统中,VBI1322可用作车载电路中的功率控制模块的开关管,用于控制车辆电子设备的电源管理和稳定性。其小型封装和低功耗特性可提高车载电子系统的性能和可靠性。

3. **工业控制**:VBI1322可用作工业控制系统中的电机控制模块的开关管,用于控制工业设备的启停和转速调节。由于其中等功率和低功耗特性,适用于工业控制系统的紧凑空间和高效能要求。

综上所述,VBI1322场效应管适用于中等功率和电流的场合,如电源管理、车载电子和工业控制等领域的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询