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VBI1226 产品详细

产品简介:

该产品是单N沟道MOSFET,主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±12V
- 阈值电压(Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 30mΩ
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 26mΩ
- 最大漏极电流(ID): 6.8A
- 技术特点: 沟道型
VBI1226适用于各种领域的电源管理、功率放大和开关电路中。具有良好的性能和可靠性,可实现高效的功率管理和电路控制。

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产品参数:

产品型号: VBI1226
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 20
- VGS(±V): 12
- Vth(V): 0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ): 30
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ): 26
- ID (A): 6.8
- Technology: Trench
封装: SOT89

领域和模块应用:

由于其低漏极-源极电阻和高漏极电流特性,可在以下领域和模块中得到广泛应用:

1. 电源管理模块:
- DC-DC变换器:用于调节电源电压,如手机充电器、笔记本电脑电源适配器等。
- 电池充电保护电路:用于智能手机、平板电脑等便携设备中,确保电池安全充电和放电。

2. 电机驱动模块:
- 直流电机驱动器:用于控制直流电机的转速和方向,例如汽车电动座椅、电动窗户升降器等。
- 步进电机驱动器:用于精确控制步进电机的步数和速度,如打印机、数控机床等。

3. 开关电路模块:
- 开关电源:用于高效地转换不同电压等级的电源,如电视、电脑显示器等。
- LED驱动器:用于调节和控制LED灯的亮度和颜色,如室内照明、汽车车灯等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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