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VBI1201K 产品详细

产品简介:

VBI1201K是一款单N沟道MOSFET,具有高达200V的额定漏极-源极电压和2A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3V的阈值电压以及800毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用Trench技术,封装为SOT89。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 800
- 漏极电流(ID): 2A
- 技术: Trench
封装: SOT89

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源管理模块: 由于VBI1201K具有较高的额定电压和低的漏极电流,适用于小型电源管理模块,如便携式充电器和电池管理系统。在便携式充电器中,它可以用作充电电路的功率开关器件,实现电池充电和电流保护功能。
2. 电子设备: 该MOSFET可用于各种电子设备中的电源开关模块,如笔记本电脑和数码相机。其小型封装和低漏极-源极电阻特性使其成为电子设备中紧凑型和高效的功率开关器件。
3. LED驱动器: 在LED照明系统中,VBI1201K可用作LED驱动器电路的功率开关器件,实现LED灯的开关和亮度调节。其高额定电压和低漏极电阻确保了LED驱动器的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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