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VBI1101MF 产品详细

产品简介:

VBI1101MF是一款单路 N 型场效应晶体管,具有以下特性,适用于特定的应用场景。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单路 N 型场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 100
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 90
- 最大漏极电流(ID): 4.5A
- 技术: 沟道
封装: SOT89

领域和模块应用:

例1: 适用于低功耗电子模块
由于VBI1101MF具有较低的漏极电流容量和较高的漏极-源极电阻,适合用于低功耗电子模块中的功率开关器件。在需要控制低功耗电子设备的开关电路中,例如传感器接口、智能家居控制器等领域,可以使用VBI1101MF作为驱动器件,实现能源的高效利用和系统的稳定性。

例2: 适用于便携式设备模块
由于VBI1101MF封装小巧且具有较低的漏极电流容量,适合用于便携式设备模块中的功率开关器件。在便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑、手持式医疗设备等,可以使用VBI1101MF作为电池管理模块的开关元件,实现设备的高效能耗管理和电池寿命的延长。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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