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VBI1101M 产品详细

产品简介:

VBI1101M是VBsemi公司推出的一款单通道N沟道场效应管,具有以下特点和性能:

1. **高压耐受性**:额定电压(VDS)为100V,适用于需要较高电压耐受性的应用场合。
2. **宽电压范围**:栅极-源极电压(VGS)可达±20V,可适应不同的驱动电路要求。
3. **低阈值电压**:阈值电压(Vth)为1.8V,表明该器件在低电压下即可实现可靠的导通,有利于降低功耗。
4. **双档电阻设计**:栅极电压为4.5V时,漏极-源极电阻为125mΩ;栅极电压为10V时,漏极-源极电阻为102mΩ。具有较低的导通电阻,有利于提高效率和减小功耗。
5. **适中的漏极电流容量**:最大漏极电流(ID)可达4.2A,适用于中等功率负载的驱动。

VBI1101M作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。

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产品参数:

参数:
- 类型:Single N
- 额定电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 栅极电压为4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):125
- 栅极电压为10V时的漏极-源极电阻(mΩ):102
- 最大漏极电流(ID):4.2A
- 技术:Trench
封装:SOT89

领域和模块应用:

应用示例:
由于VBI1101M具有高压耐受性、宽电压范围、低阈值电压和适中的漏极电流容量等特点,适用于多种领域和模块,包括但不限于:

1. **低功耗电子设备**:在便携式电子产品、智能传感器和远程监控设备等低功耗电子设备中,VBI1101M可作为开关管或调节管,用于控制电源供应,延长电池寿命,提高设备的续航能力。

2. **医疗器械**:在医疗设备和医疗仪器中,VBI1101M可作为功率开关管,用于控制医疗设备的启停和工作状态,保障医疗器械的安全性和可靠性。

3. **LED照明控制**:在LED照明系统、LED灯带和LED显示屏等LED照明控制器中,VBI1101M可作为LED驱动电路中的关键元件,用于控制LED的亮灭和亮度调节,提高LED模块的能效和稳定性。

4. **智能家居**:在智能家居系统、智能门锁和智能家电中,VBI1101M可作为功率控制模块的关键组成部分,用于实现智能设备的远程控制和智能化管理,提高家居生活的便利性和舒适度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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