MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGQT3401 产品详细

产品简介:

VBGQT3401是一款双N+N型场效应晶体管,设计用于高功率功率转换和驱动应用。其主要参数包括:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为40V,适用于中高功率应用。
- 最大栅极-源极电压(VGS)为20V,提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压(Vth)为3V,适合于高压控制电路。
- 在VGS=10V时的导通电阻为0.63mΩ,具有极低的导通电阻,适用于高功率功率转换。
- 最大漏极电流(ID)为350A,具有高功率处理能力。
- 采用SGT技术,具有优良的电气特性和可靠性。

VBGQT3401适用于高功率功率转换和驱动应用,包括电动汽车电池管理模块、工业高压电源模块、太阳能逆变器模块等领域。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号:VBGQT3401
品牌:VBsemi
参数:
- Dual N+N
- VDS(V): 40
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 0.63
- ID (A): 350
- Technology:SGT
封装:TOLL

领域和模块应用:


应用举例:
1. **电动汽车电池管理模块**:VBGQT3401可用作电动汽车电池管理模块中的功率开关器件,实现对电池组的充放电控制和电能转换,适用于电动汽车和混合动力车辆。

2. **工业高压电源模块**:由于其高电压和高功率特性,VBGQT3401可用于工业高压电源模块中,实现对工业设备的高压电源供应和功率控制,适用于高压放电设备、工业激光设备等。

3. **太阳能逆变器模块**:作为高功率功率转换器件,VBGQT3401可用于太阳能逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询