VBGQT1601是一款单体N型MOSFET，具有以下特性：
- 最大漏极电压（VDS）为60V，适用于高压应用场合。
- 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。
- 阈值电压（Vth）为3V，具有良好的开关特性。
- 在VGS=10V时，导通电阻为1mΩ，具有极低的导通电阻。
- 最大漏极电流（ID）为340A，能够承受大电流负载。
- 采用SGT技术，具有优异的性能和稳定性。
- 封装为TOLL，适用于高功率电子设备的散热要求。
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产品型号：VBGQT1601
品牌：VBsemi
参数：
- 单体N型MOSFET
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 1
- 最大漏极电流ID (A): 340
- Technology：SGT
- 封装：TOLL
应用简介：
1. **电力电子模块**：VBGQT1601适用于高功率电力电子系统，如电力逆变器、电力调节器等模块，实现对高压电源的高效控制和转换。
2. **电动汽车控制器**：作为电动汽车控制器的关键器件，VBGQT1601能够提供稳定可靠的电源输出和电机控制，适用于电动汽车的电动驱动系统。
3. **工业焊接设备**：在工业级焊接设备中，VBGQT1601可用于功率开关控制模块，提供高效的电源控制和稳定的焊接电流输出。
4. **电网接入逆变器**：适用于太阳能、风能等可再生能源发电系统的电网接入逆变器模块，实现对直流电源的高效转换和电能输出。
5. **高功率LED照明系统**：用于大型LED照明系统的功率开关控制模块，如街道照明、工厂照明等，提供稳定、高效的电源转换和光源控制。
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