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VBGQT11202 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGQT11202是一款单极N型MOSFET,具有120V的最大漏极-源极电压和230A的最大漏极电流。其特殊栅极结构(SGT)设计使其在高电压和高电流环境下表现出色。阈值电压为3V,且在10V的栅极电压下,具有仅2mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBGQT11202在工业电源、电动汽车、太阳能和工业自动化等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):120V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2
- 最大漏极电流(ID):230A
- 技术:SGT(特殊栅极结构)
- 封装:TOLL

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **工业电源模块:** 由于VBsemi VBGQT11202具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等电路中,提供可靠的功率开关功能。

2. **电动汽车充电桩:** 在电动汽车充电桩中,VBsemi VBGQT11202可以作为电流开关器件,用于控制电池充电和放电过程中的功率流动,确保充电过程的高效性和安全性。

3. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,VBsemi VBGQT11202可用作开关管,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供应给家庭或工业用电网。

4. **工业自动化设备:** 由于其高电压和高电流特性,VBsemi VBGQT11202可用于工业自动化设备中的电机控制、电流监测和功率调节等功能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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