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VBGQT1102 产品详细

产品简介:

VBGQT1102是VBsemi推出的单极性 N 型 MOSFET,具有100V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为2 mΩ。该器件的最大漏极电流为200A,采用单栅极(Single Gate)Trench(SGT)技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TOLL,适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块,如工业电源、电动车辆和大功率工业驱动等领域。

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产品参数:

参数:
- 电流极性:单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压(VDS):100V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)):2 mΩ
- 最大漏极电流(ID):200A
- 技术:单栅极(Single Gate)Trench(SGT)
封装:TOLL

领域和模块应用:

**应用简介:**
由于VBGQT1102具有高额定漏极-源极电压和漏极电流,以及极低的漏极-源极电阻,因此适用于多种领域和模块。以下是一些适用领域和对应的模块举例:

1. 工业电源模块:
VBGQT1102可用作工业电源系统中的功率开关器件,如高压DC-DC变换器、高功率逆变器和直流稳压器。其高性能和稳定性能使其能够在工业领域的各种电源系统中可靠运行,同时极低的漏极-源极电阻有助于降低能量损耗和提高系统的效率。

2. 高性能电动车辆(EV)模块:
VBGQT1102适用于高性能电动车辆(EV)的电动机控制器、快速充电器和电池管理系统。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能够满足电动车辆的功率需求,同时极低的漏极-源极电阻有助于提高电动车辆的能效和续航里程。

3. 大功率工业驱动模块:
在大功率工业驱动领域,VBGQT1102可用于各种类型的工业电机驱动器、变频器和逆变器。其高性能和稳定性能使其能够在高功率工业驱动系统中可靠运行,同时极低的漏极-源极电阻有助于提高系统的响应速度和控制精度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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