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VBGQF1305 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBGQF1305是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用SGT工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用DFN8(3X3)封装。

该器件适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如LED照明、太阳能电池和工业控制等领域的模块中。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V(mΩ): 5.4
- VGS=10V(mΩ): 4
- ID (A): 60
- Technology: SGT
封装: DFN8(3X3)

领域和模块应用:

应用示例:
1. **LED照明模块**: VBGQF1305的低导通电阻和高电压承受能力使其非常适合用于LED照明模块中的驱动电路。例如,在LED灯条中,它可以用作电流调节器,帮助实现LED的亮度调节和稳定驱动。

2. **太阳能电池模块**: 由于VBGQF1305具有较高的最大漏极-源极电压和电流承受能力,因此它也非常适合用于太阳能电池模块中的充放电控制电路。例如,在太阳能充电器中,它可以用作充电调节器,帮助实现太阳能电池的充放电管理和优化。

3. **工业控制模块**: 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在工业控制模块中有广泛的应用。例如,在工业自动化中,它可以用作驱动器控制器,帮助实现各种工业设备的精确控制和高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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