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VBGQF1302 产品详细

产品简介:

VBGQF1302是一款单N型MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、2.75mΩ(VGS=4.5V)和1.8mΩ(VGS=10V)的导通电阻(RDS(on)),以及70A的漏极电流(ID)。采用SGT工艺制造,封装为DFN8(3X3)。

适用于高功率和高效率的电路设计和模块应用

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产品参数:

参数:
- 单N型
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):2.75
- RDS(on) VGS=10V(mΩ):1.8
- ID (A):70
- Technology:SGT
封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:

由于其高漏极电流和低导通电阻特性,VBGQF1302适用于高功率和高效率的电路设计和模块应用。例如,
在电源模块中,可用于直流-直流(DC-DC)转换器和直流-交流(DC-AC)逆变器中的功率开关;
在电动车辆电路中,可用于电池管理系统中的充放电控制和电机驱动器中的功率开关;
在工业自动化中,可用于电机控制器和电源开关模块等领域。
其高功率和低导通电阻特性使其在需要高效率和高功率输出的应用场景中具有广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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