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VBGQF1201M 产品详细

产品简介:

VBGQF1201M是一款单N沟道MOSFET,具有高达200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3V的阈值电压以及低至145毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用SGT技术,封装为DFN8(3X3)。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 145
- 漏极电流(ID): 10A
- 技术: SGT (Silicon Gate Technology)
封装: DFN8(3X3)

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业领域: 由于VBGQF1201M具有高额定电压和较大的漏极电流,适用于工业电源和电机控制模块。例如,在工业电源模块中,可以用于实现高压转换和电流调节功能。
2. 汽车电子领域: 该MOSFET可用于汽车电子系统中的电源管理模块,如DC-DC转换器和电动汽车充电模块。其高电压和低漏极-源极电阻特性使其适用于各种汽车电气系统的功率开关应用。
3. 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,VBGQF1201M可用作高压开关器件,帮助实现光伏电池到电网的能量转换。其高额定电压和低漏极电阻确保了系统的高效运行和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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