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VBGQF1101N 产品详细

产品简介:

VBGQF1101N是一款单N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压耐受能力。其特点包括低门源压降(Vth=2.5V)、较低的导通电阻(VGS=10V时最低可达10.5mΩ),采用SGT技术制造,封装为DFN8(3X3)。适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源管理模块、LED驱动器、电动工具控制模块和电动自行车电池管理系统等。

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产品参数:

参数:
- 电压参数:
- VDS(V):100V
- VGS(±V):20V
- Vth(V):2.5V
- 电阻参数:
- VGS=4.5V时的导通电阻:13.5mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:10.5mΩ
- 最大电流:50A
- 技术:SGT
封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源管理模块**:VBGQF1101N适用于小型电源管理模块中的功率开关,例如用于智能手机、平板电脑等便携式电子产品中的电源管理模块,能够提供稳定的电源输出。

2. **LED驱动器**:在LED照明领域,VBGQF1101N可用作LED驱动器中的关键元件,用于控制LED灯的亮度和开关,其低导通电阻和低功耗特性能够提高LED照明系统的效率和节能性。

3. **电动工具控制模块**:在电动工具中,VBGQF1101N可用作电动工具控制模块中的功率开关,例如电动钻、电动锯等,能够提供稳定的电源输出和电流控制,确保电动工具的稳定运行。

4. **电动自行车电池管理系统**:作为电动自行车电池管理系统中的关键部件,VBGQF1101N可用于控制电池的充放电过程,保护电池安全,并提供高效的电源输出,延长电池寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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