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VBGQE11506 产品详细

产品简介:

VBGQE11506是一款高性能的单N沟道场效应晶体管,适用于多种电子设备和模块。其特点包括较高的漏极-源极电压和漏极电流,以及适中的阈值电压和漏极-源极电阻,使其在电源管理模块、汽车电子模块和工业自动化模块等领域,能够为这些领域提供稳定、高效的电源管理和功率控制解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品类型:Single N沟道场效应晶体管(Single N-MOSFET)
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):5.7
- 最大漏极电流(ID):100A
- 技术:SGT(Silicon Gate Technology)
- 封装:DFN8X8

领域和模块应用:

以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. 电源管理模块:VBGQE11506适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和充电器等部分。其高漏极-源极电压和电流特性能够确保模块的稳定、高效工作,同时适中的阈值电压和漏极-源极电阻可提高转换效率和降低功耗。

2. 汽车电子模块:在汽车电子领域,VBGQE11506可用于车载电源管理、电机驱动和灯光控制等模块。其高电压和电流能力可以满足汽车电子设备对高功率和高性能的需求,同时DFN8X8封装可以满足汽车电子模块对紧凑尺寸和高密度集成的要求。

3. 工业自动化模块:在工业自动化领域,VBGQE11506可用于工业控制系统中的电源管理、驱动控制和信号处理等模块。其可靠的性能和稳定的工作特性使其成为工业自动化模块中的重要组成部分,提高系统的可靠性和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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