VBGQA3303G - VBsemi MOS管制造商

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VBGQA3303G是一款半桥N+N型MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth）、3.5mΩ（VGS=4.5V）和2.7mΩ（VGS=10V）的导通电阻（RDS(on)），以及75A的漏极电流（ID）。采用SGT工艺制造，封装为DFN8(5X6)-C。

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产品参数：

产品型号：VBGQA3303G
品牌：VBsemi
参数：
- 半桥N+N型
- VDS(V)：30
- VGS(±V)：20
- Vth(V)：1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ)：3.5
- RDS(on) VGS=10V(mΩ)：2.7
- ID (A)：75
- Technology：SGT
封装：DFN8(5X6)-C

领域和模块应用：

VBGQA3303G适用于各种需要半桥驱动的电路设计和模块应用。例如，
在电动车辆电路中，可用于电机驱动器中的半桥电路；在工业控制系统中，可用于电机控制器和电源开关模块等领域。其特点是高漏极电流和低导通电阻，适用于高功率和高效率的电路设计需求。此外，DFN8(5X6)-C封装设计紧凑，适用于空间有限的应用场景。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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