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VBGQA3207N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGQA3207N具有高漏极电压(200V)和较大漏极电流(18A)的特点,可用于电源模块,如开关电源和DC-DC转换器等。

同样也适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域,包括但不限于电源模块、电机驱动、LED照明和工业控制等。

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产品参数:

VBsemi VBGQA3207N是一款双N型场效应晶体管产品,具有以下参数:

- VDS(漏极-源极电压): 200V
- VGS(栅极-源极电压):±20V
- Vth(门阈电压):3V
- VGS=10V时的漏极-源极导通电阻:70mΩ
- 最大漏极电流(ID):18A
- 技术类型:SGT(Superjunction Gate Trench)

封装为DFN8(5x6)-B。

领域和模块应用:



该器件适用于各种领域和模块,具体应用如下:

1. **电源模块**:由于VBsemi VBGQA3207N具有高漏极电压(200V)和较大漏极电流(18A)的特点,可用于电源模块,如开关电源和DC-DC转换器等。其低漏极-源极导通电阻(70mΩ)也有助于提高效率。

2. **电机驱动**:双N型结构和高漏极电流使得该器件在电机驱动应用中具有较好的性能。例如,可以用于电动汽车电机驱动器模块,以提供高效的电动汽车动力输出。

3. **LED照明**:VBGQA3207N的高电压和高电流特性使其适用于LED照明驱动模块,可以提供稳定的电流输出,同时保证较高的效率。

4. **工业控制**:在工业自动化控制系统中,该器件可用于开关控制器模块,如电机控制、温度控制等,以实现精确的控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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