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VBGQA3102N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBGQA3102N是一款双 N+N 型功率MOSFET,设计用于各种高效能和高密度的功率转换应用。其优秀的性能参数使其在多种领域中广受欢迎,能够实现高效率的能量转换和精确的电源管理。

VBsemi的VBGQA3102N适用于电动车辆、电源开关、工业控制和充电器/逆变器等多个领域,为各种模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

**参数:**
- 类型: 双 N+N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 22
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 18
- 最大漏极电流 (ID): 35A
- 技术: SGT (Superjunction Gate-Triggered)
- 封装: DFN8(5X6)-B

领域和模块应用:

**适用领域和模块:**
1. **电动车辆动力模块:**
VBGQA3102N具有较高的漏极电流和适中的漏极-源极电阻,使其非常适合用于设计电动车辆的动力模块。这种MOSFET可用于电动汽车的电机驱动器和电池管理系统,实现高效率的能量转换和长期稳定的运行。

2. **电源开关模块:**
在高性能电源开关模块中,VBGQA3102N可用作关键的功率开关元件。其低阈值电压和低漏极-源极电阻确保了低功率损耗和高效率的转换,使其成为电源开关模块的理想选择。

3. **工业自动化控制系统:**
在工业自动化领域,VBGQA3102N可用于设计高性能的控制系统模块,实现精确的电源管理和稳定的功率输出。其高漏极电流和可靠性保证了在恶劣工作环境下的长期可靠性。

4. **充电器和逆变器模块:**
作为充电器和逆变器模块中的关键组件,VBGQA3102N可实现高效率的能量转换和稳定的输出电压。其高性能和可靠性使其成为各种充电器和逆变器应用的首选元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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