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VBGQA1803 产品详细

产品简介:

VBGQA1803是一款单N型沟道MOSFET,适用于工作在80V的电路中。其栅极-源极电压范围为±20V,阈值电压为3.5V。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为2.65mΩ。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为DFN8(5X6)。

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产品参数:

产品型号:VBGQA1803
品牌:VBsemi
参数:
- 架构:Single N
- VDS(漏极-源极电压):80V
- VGS(栅极-源极电压)(±V):20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2.65
- 最大漏极电流(ID):140A
- 技术:SGT
封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电动汽车驱动模块**:VBGQA1803具有较高的漏极-源极电压和大电流承受能力,适合用于电动汽车驱动模块中的功率开关,实现电机的高效驱动和动力输出。

2. **工业高功率逆变器模块**:在工业领域,VBGQA1803可应用于高功率逆变器模块中,用于将直流电源转换为交流电源,以驱动各种工业设备和机械。

3. **太阳能逆变器模块**:作为太阳能逆变器模块的关键元件,VBGQA1803可实现太阳能电池板输出电能的稳定转换,适用于太阳能发电系统中的电力转换和储存。

4. **高效率电源模块**:在需要高效率能量转换的应用中,例如服务器电源、工控电源等,VBGQA1803可作为功率开关器件,实现高效率的电能转换和稳定的输出。

5. **电动工具模块**:VBGQA1803可用于电动工具模块中的功率开关,实现电动工具的高性能驱动和工作效率提升。

6. **UPS(不间断电源)模块**:在UPS系统中,VBGQA1803可用于功率开关模块,保障电力系统的稳定供电,确保设备和系统的持续运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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