VBGQA1603是一款单体N型MOSFET，具有以下特性：
- 最大漏极电压（VDS）为60V，适用于高压应用场合。
- 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。
- 阈值电压（Vth）为3V，具有良好的开关特性。
- 在VGS=4.5V时，导通电阻为3.5mΩ；在VGS=10V时，导通电阻为2.8mΩ，具有低导通电阻和低开关损耗。
- 最大漏极电流（ID）为90A，能够承受一定的电流负载。
- 采用SGT技术，具有优异的性能和稳定性。
- 封装为DFN8(5X6)，体积小巧，适用于小型电路板布局和焊接。
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参数：
- 单体N型MOSFET
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ): 3.5
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 2.8
- 最大漏极电流ID (A): 90
- Technology：SGT
- 封装：DFN8(5X6)
应用简介：
1. **电源管理模块**：VBGQA1603可用作开关电源的主动开关器件，适用于工业级DC-DC变换器、电源逆变器等模块，提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
2. **电机驱动模块**：由于具有较高的漏极电流和低导通电阻，VBGQA1603适合用于直流电机驱动模块，如电动车、电动工具等，提供高效、可靠的电机控制和动力输出。
3. **工业控制模块**：适用于工业自动化控制系统中的电源开关控制模块，如电流控制、温度控制等，提供可靠的开关功能和电路保护。
4. **电源逆变器**：用于太阳能逆变器、UPS系统等高功率电源逆变模块，实现对直流电源的高效转换和稳定输出。
5. **电动汽车充电桩**：作为电动汽车充电桩的功率控制模块，实现对电动汽车的快速充电和电能转换。
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