VBGQA1403 是一款Single N型MOSFET，具有以下参数：
- **VDS(V):** 漏极-源极间的最大电压，该参数表示器件能够承受的最大电压值。
- **VGS(±V):** 栅源电压，即门极与源极之间的电压范围。
- **Vth(V):** 门极阈值电压，即器件开始导通的电压值。
- **VGS=4.5V(mΩ):** 在给定的栅源电压下，器件的导通电阻。
- **VGS=10V(mΩ):** 在给定的栅源电压下，器件的导通电阻。
- **ID (A):** 最大漏极电流，即器件能够承受的最大电流。
- **Technology：** 采用SGT技术，即Silicon-Germanium Technology，具有更好的导电性能和散热性能。
- **封装：** DFN8(5X6)，DFN8是一种低轮廓、小型化的封装形式，适用于高密度集成电路设计。

VBGQA1403产品在不同领域和模块中的应用示例，其高性能和可靠性使其成为各种电子设备和工业设备中的重要组成部分，推动了各个领域的技术发展和应用创新。