VBGQA1401是一款单体N型MOSFET,详细参数说明：
VBGQA1401是一款单体N型MOSFET，具有以下特性：
- 最大漏极电压（VDS）为40V，适用于高功率应用。
- 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。
- 阈值电压（Vth）为3V，具有良好的开关特性。
- 在VGS=4.5V时，导通电阻为1.5mΩ；在VGS=10V时，导通电阻为1.09mΩ，具有极低的导通电阻和极低的开关损耗。
- 最大漏极电流（ID）为150A，能够承受大电流负载。
- 采用SGT技术，具有优异的性能和稳定性。
- 封装为DFN8(5X6)，体积适中，适用于各种高功率电子设备。
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参数：
- 单体N型MOSFET
- VDS(V): 40
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ): 1.5
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 1.09
- 最大漏极电流ID (A): 150
- 技术：SGT
- 封装：DFN8(5X6)
应用简介：
1. **电源管理模块**：VBGQA1401可用作高功率开关电源的主动开关器件，适用于工业级DC-DC变换器、电源逆变器等模块，提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
2. **电机驱动模块**：由于具有极低的导通电阻和大漏极电流，VBGQA1401适合用于高功率直流电机驱动模块，如工业机械设备中的电机控制器，提供高效、可靠的电机控制和动力输出。
3. **电池管理模块**：结合低阈值电压和高漏极电流，VBGQA1401可用于电池管理模块，如电动汽车电池管理系统，实现对电池的精准充放电控制和保护功能。
4. **电力电子模块**：在高功率电力电子系统中，VBGQA1401可用于逆变器、变频器等模块，提供高效、可靠的功率转换和控制功能。
5. **充电器模块**：适用于工业级充电器、电动工具充电器等模块，实现快速充电和高效能量转换。
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