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VBGQA1307 产品详细

产品简介:

VBGQA1307是一款Single N型MOSFET,适用于要求较高漏极电压和电流的应用场景
- 采用槽道(Trench)技术制造;
- 封装为 DFN8((5X6)。

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产品参数:

MOSFET类型:Single N
额定漏极-源极电压(VDS):30V
门极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):1.7V
静态工作电阻(RDS(on)):
VGS=4.5V时:9.5mΩ
VGS=10V时:6.8mΩ
额定漏极电流(ID):40A
技术:SGT
封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

该产品适用于要求较高漏极电压和电流的应用场景,例如:

电源管理模块:用于开关电源、直流-直流变换器等电源管理模块,以实现高效能耗和稳定的电源输出。
电机驱动模块:用于直流电机控制、电动车控制等电机驱动模块,以实现高性能的电机控制和驱动。
电源逆变模块:用于太阳能逆变器、电动车逆变器等电源逆变模块,以实现电能的转换和逆变。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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