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VBGQA1305 产品详细

产品简介:

VBGQA1305是一款单路N沟道MOSFET,适用于低压高电流的应用场景。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、45A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用SGT技术制造,封装为DFN8(5X6),适用于高性能电子电路模块的设计和应用。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 7.4mΩ
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 5.3mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 4.4mΩ
- 最大漏极电流(ID): 45A
- 技术: SGT(Single Gate Trench)
- 封装: DFN8(5X6)

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源模块**:VBGQA1305的高漏极电流和低漏极电阻使其适用于设计具有高效率和高功率密度的电源模块。例如,可用于直流电源、电动车电源管理系统和工业电源设备等场景,实现对电能的快速、稳定的转换和控制。

2. **电动工具模块**:由于VBGQA1305具有较高的漏极电流和稳定的特性,可用于设计各种电动工具模块,如电动钻、电动锯等。其低漏极电阻和高功率特性可提供足够的动力输出,满足工业和家庭使用的需求。

3. **电动汽车驱动模块**:在电动汽车的驱动系统中,VBGQA1305可用作功率开关器件,用于控制电机的启停和转向。其高漏极电流和低漏极电阻可提供高效的功率传输,实现汽车的高性能和节能运行。

4. **太阳能逆变器模块**:VBGQA1305适用于太阳能逆变器模块中的功率开关控制,可实现太阳能电能的转换和调节。其稳定的特性和高功率密度使其成为太阳能发电系统的重要组成部分,提高系统的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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