此产品为单 N 型 MOSFET，其主要参数包括：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为 25V；
- 最大栅极-源极电压（VGS）为正负 20V；
- 阈值电压（Vth）为 1.5V；
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 1.15mΩ；
- 当栅极-源极电压为 10V 时，导通电阻为 0.72mΩ；
- 最大漏极电流（ID）为 180A；
- 采用斯特拉滕加特 (SGT) 技术制造；
- 封装为 DFN8(5X6)。

应用简介：
这款 MOSFET 适用于需要高性能开关的电路和模块，特别适用于以下领域和模块：
- 电动汽车动力模块：由于其高漏极电流能力和低导通电阻，适用于电动汽车中的功率逆变器和电机控制器。
- 太阳能逆变器模块：可用于太阳能逆变器中的高效能量转换和电网连接。
- 工业高功率模块：在工业设备中，可用于高功率开关电源、电机驱动器和电动工具等模块。
- 电源系统模块：适用于需要高效能量转换和稳定电源输出的电源系统模块。