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VBGQA1156N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGQA1156N是一款单极N型MOSFET,具有150V的最大漏极-源极电压和20A的最大漏极电流。其特殊栅极结构(SGT)设计使其在高电压和高电流环境下表现出色。阈值电压为3V,且在10V的栅极电压下,具有约56mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBGQA1156N在汽车电子、医疗设备、工业自动化和LED照明等领域中广泛应用。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):56
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SGT(特殊栅极结构)
- 封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **汽车电子模块:** VBsemi VBGQA1156N适用于汽车电子模块中,如电动车辆的动力电池管理系统、车载充电桩控制器等,用作功率开关器件,实现电池管理、充电控制等功能,确保车辆的安全性和稳定性。

2. **医疗设备模块:** 在医疗设备模块中,VBsemi VBGQA1156N可用于医疗影像设备、手术器械控制系统等,用作电源开关器件,实现设备的控制和运行管理,确保医疗设备的高效运行。

3. **工业自动化模块:** 由于VBsemi VBGQA1156N具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于工业自动化模块中的电源控制、电机驱动和传感器接口等功能,提高工业设备的智能化和自动化水平。

4. **LED照明驱动器:** 在LED照明驱动器中,VBsemi VBGQA1156N可用作功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和灯光效果,提供高效的照明解决方案,适用于家庭、商业和工业照明场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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