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VBGQA1105 产品详细

产品简介:


- **Single N**: 单N沟道场效应晶体管。
- **VDS(V)**: 最大漏极-源极电压为100V。
- **VGS(±V)**: 门极-源极电压为±20V。
- **Vth(V)**: 阈值电压为3V。
- **VGS=10V(mΩ)**: 当门极-源极电压为10V时,导通状态下的导通电阻为5.6mΩ。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为105A。
- **Technology**: 采用SGT(Super-Grain Technology)技术制造。
- **封装**: 使用DFN8(5X6)封装。

VBGQA1105场效应晶体管适用于需要高电压、大电流和高效能力的应用,包括电动汽车、太阳能逆变器和工业高压应用等领域的模块设计。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V(mΩ): 5.6
- ID (A): 105
- Technology: SGT
封装: DFN8(5X6)

领域和模块应用:

应用简介:
VBGQA1105是一款高性能的场效应晶体管,适用于各种领域和模块,具有以下特点:
1. **电动汽车**: 由于其高电压、大电流和低导通电阻,VBGQA1105可用于电动汽车的功率模块,例如电机驱动器和电动车辆控制器,可实现高效的电动汽车驱动系统。
2. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,需要高效、高可靠性的功率开关器件来转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。VBGQA1105可用于设计和制造太阳能逆变器的功率模块,实现太阳能电能的高效利用。
3. **工业高压应用**: 在工业高压应用中,需要能够承受高压和大电流的功率开关器件来实现电源变换和高压设备控制。VBGQA1105的性能特点使其成为工业高压电源模块和变频器中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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