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VBGQA1103 产品详细

产品简介:

VBGQA1103是一款采用SGT技术的单N沟道场效应晶体管,具有100V的耐压、135A的最大漏极电流和较低的漏极-源极导通电阻等特点。该器件适用于需要高电压和大电流的应用场合,特别适合于紧凑型设计和高密度集成的应用。

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产品参数:

产品型号:VBGQA1103
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- VDS(耐压):100V
- VGS(门源电压,正负):±20V
- Vth(门阈电压):3V
- VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):3.45
- 最大漏极电流(ID):135A
- 技术:SGT(Smart Grid Technology 智能电网技术)
- 封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

举例说明:
1. 智能电网系统:VBGQA1103可用于智能电网系统中的电能传输和分配模块,实现电网的智能监测和调节控制,提高电网的稳定性和安全性。
2. 新能源充电桩:在新能源充电桩中,VBGQA1103可用作充电控制模块的功率开关器件,支持快速充电和智能管理功能。
3. 工业自动化设备:应用于工业自动化设备中,VBGQA1103可用于电机驱动模块和电源管理模块,实现设备的高效能量转换和智能控制。
4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBGQA1103可用于车载充电器和电动汽车驱动控制模块,提供稳定的电力输出和可靠的动力驱动。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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