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VBGQA1102N 产品详细

产品简介:

VBGQA1102N是一款性能优越的单N沟道MOSFET,具有低漏极-源极导通电阻和高稳定性,适用于多种电源和功率管理应用。其小封装和高性能使其在紧凑空间和高效能要求的场合中得到广泛应用。包括汽车电子、无线通信和工业自动化等,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):26mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):21mΩ
- 漏极电流(ID):30A
- 技术:SGT(Silicon-Germanium Trench)
- 封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

举例说明:
1. 汽车电子模块:
VBGQA1102N适用于汽车电子模块中的电源管理、动力传输和电机控制系统。其高性能和可靠性可以确保汽车电子设备的稳定运行,同时提高汽车的能效和驾驶体验。

2. 无线通信设备模块:
在无线通信设备模块中,VBGQA1102N可以用作功率放大器和开关控制器,实现信号的放大和处理。其低导通电阻和高频率响应特性可以提供稳定的信号传输和高效的能量转换,满足无线通信设备对于高性能和可靠性的要求。

3. 工业自动化模块:
在工业自动化控制系统中,VBGQA1102N可以用于马达驱动、电源逆变和电流控制等应用。其高漏极电流和低导通电阻可以实现高效能的电力转换和精确的电流控制,提高工业生产的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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