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VBGQA1101N 产品详细

产品简介:

VBGQA1101N是VBsemi推出的单晶N型场效应晶体管,具有高性能和广泛的应用领域。

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产品参数:

参数:  
- 单晶N型  
- VDS(最大漏电压):100V  
- VGS(门源电压)(正负):20V  
- Vth(门阈电压):2.5V  
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):11.5  
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):9.5  
- ID(最大漏极电流):55A  
- 技术:分隔栅型(SGT)  
- 封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块上的应用示例:

1. **电源管理模块**:VBGQA1101N适用于电源管理模块中的各种应用,例如开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统。其低漏极电阻和稳定的特性有助于实现高效的能源转换和稳定的电源输出。

2. **汽车电子模块**:作为汽车电子系统的一部分,VBGQA1101N可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。

3. **工业自动化模块**:在工业自动化领域,VBGQA1101N可用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器。其高漏电压和低漏极电阻特性有助于提高自动化系统的响应速度和效率,实现精确的生产过程控制。

4. **通信设备模块**:在通信设备中,VBGQA1101N可用于功率放大器、射频开关和信号处理模块等应用。其高性能和稳定性使其能够满足通信设备对高频率和高功率操作的需求,提供可靠的信号传输和处理能力。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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