MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGP1805 产品详细

产品简介:

VBGP1805是一款单极性N沟道场效应管,具有80V的漏极-源极电压和120A的漏极电流。该器件采用了Silicon Germanium Trench(SGT)技术,漏极-源极电阻为4.6mΩ,阈值电压为3V。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号: VBGP1805
品牌: VBsemi
参数:
- 单极性N沟道场效应管 (Single N)
- VDS (漏极-源极电压): 80V
- VGS (栅极-源极电压): ±20V
- Vth (阈值电压): 3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 4.6
- ID (漏极电流): 120A
- 技术: SGT (Silicon Germanium Trench)
封装: TO247

领域和模块应用:

应用示例:
1. 工业电源: VBGP1805适用于工业领域中需要高功率和高可靠性的电源模块,例如工业设备、电焊机、数控机床等。其高电压容忍度和大电流承受能力能够确保系统的稳定性和可靠性。

2. 太阳能逆变器: 由于VBGP1805具有较高的漏极电流和低的漏极-源极电阻,适合用作太阳能逆变器中的功率开关器件。它可以帮助实现太阳能电池板产生的直流电到交流电的高效转换。

3. 汽车电子: 在汽车电子系统中,VBGP1805可用于汽车电动驱动系统的电源管理和电动驱动器的功率控制。它可以提供稳定的电能转换和驱动性能,适用于电动汽车、混合动力车辆等应用。

4. 高性能电源模块: VBGP1805适用于设计高性能的电源模块,如服务器电源、通信设备电源或医疗设备电源。其稳定的电性能和可靠的工作特性能够满足各种应用的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询