VBGP1602是一款单路N沟道MOSFET,适用于高功率功率控制和开关应用。具有60V的最大漏极-源极电压(VDS)、210A的最大漏极电流(ID)和极低的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用硅锗晶体管(SGT)技术制造,封装为TO247,适用于需要高功率输出的电子设备的功率开关和控制模块。
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 60V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 1.7mΩ
- 最大漏极电流(ID): 210A
- 技术: Silicon Germanium Transistor (SGT)
- 封装: TO247
举例说明:
1. **电力电子模块**:VBGP1602可用于设计各种高功率的电力电子模块,如逆变器、变频器和交流调压器等。其稳定的特性和高功率输出使其成为电力电子系统中的理想功率开关器件,提高系统的效率和稳定性。
2. **工业电源模块**:在工业电源系统中,VBGP1602可用于设计高功率的工业电源模块,如电源开关和稳压器等。其稳定的特性和高功率输出可确保工业设备的稳定供电,提高设备的运行效率和可靠性。
3. **电动车辆驱动模块**:VBGP1602可用于设计电动车辆的驱动系统中的功率开关器件,实现电动车辆的高效能耗管理和动力输出。其高漏极电流和低漏极电阻可提供足够的功率输出,满足电动车辆在高速行驶和爬坡时的功率需求。
4. **太阳能逆变器模块**:在太阳能发电系统中,VBGP1602可用作太阳能逆变器模块的关键元件,实现太阳能电能的转换和调节。其极低的漏极电阻和稳定的特性可提高逆变器的转换效率和稳定性。
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