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VBGP11507 产品详细

产品简介:

VBsemi VBGP11507是一款单极N型MOSFET,具有150V的最大漏极-源极电压和110A的最大漏极电流。其特殊栅极结构(SGT)设计使其在高电压和高电流环境下表现出色。阈值电压为3.5V,且在10V的栅极电压下,具有约6.8mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBGP11507在电动汽车、太阳能、工业电源和LED照明等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):6.8
- 最大漏极电流(ID):110A
- 技术:SGT(特殊栅极结构)
- 封装:TO247

领域和模块应用:


**应用简介:**
1. **电动汽车驱动器:** VBsemi VBGP11507适用于电动汽车的驱动器模块中,可作为功率开关器件,用于控制电机的启停和速度调节,提供高效、可靠的动力输出。

2. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,VBsemi VBGP11507可用作开关管,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供应给家庭或工业用电网。

3. **工业电源模块:** 由于VBsemi VBGP11507具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等电路中,提供可靠的功率开关功能。

4. **LED照明驱动器:** 在LED照明驱动器中,VBsemi VBGP11507可用作功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和灯光效果,提供高效的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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