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VBGMB1256N 产品详细

产品简介:

VBGMB1256N是一款单N沟道MOSFET,适用于电机驱动、电源开关、太阳能逆变器、工业控制和电热设备控制等多个领域的单N沟道MOSFET。

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产品参数:

参数:
- 极性:单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):250V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):60mΩ
- 最大漏极电流(ID):25A
- 技术:SGT(Single Gate Trench,单栅沟道)
- 封装:TO220F

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **电机驱动模块**:
- VBGMB1256N适用于电机驱动模块,如电动车辆控制器、工业机械驱动和家用电动器具。其高漏极电流和低漏极-源极电阻使其能够提供稳定、高效的电机驱动,满足各种应用中对动力输出的要求。

2. **电源开关模块**:
- 由于其高额定漏极-源极电压和漏极电流,VBGMB1256N可用于设计和制造电源开关模块,如电源适配器、电子开关和电源管理系统。它可以在各种电源应用中提供可靠的开关功能。

3. **太阳能逆变器**:
- 在太阳能光伏系统中,VBGMB1256N可用作功率逆变器模块的关键组件。其高漏极电流和低漏极-源极电阻使其能够实现高效的能量转换,从太阳能板中提取最大的电能输出。

4. **工业控制模块**:
- 对于工业自动化和控制系统中的功率开关模块,VBGMB1256N是一个理想的选择。它可以用于设计和制造用于机器人、生产线和自动化设备的功率控制模块,提供稳定的电力输出和可靠的操作。

5. **电热设备控制**:
- 在电热设备如电炉、电热水器和电热风扇等控制模块中,VBGMB1256N可用作功率开关器件。其高漏极电流和低漏极-源极电阻使其能够实现高效的能量转换和稳定的温度控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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