MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGMB1252N 产品详细

产品简介:

VBGMB1252N是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有高性能和可靠性。其特性包括250V的漏极-源极电压,±20V的栅极-源极电压(最大值),以及3.5V的阈值电压。采用基础绝缘栅型(SGT),具有较低的导通电阻和最大80A的漏极电流,适用于各种高压、高电流的应用场景。

VBGMB1252N作为一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电力电子模块、电动汽车驱动、工业高压设备和太阳能逆变器等领域的各种模块。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:250V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:3.5V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:16mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:80A
- **Technology:** 基础绝缘栅型(SGT)
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBGMB1252N适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **电力电子模块:** 由于其高耐压和高电流特性,VBGMB1252N可用于电力电子模块中的电源开关和电源控制。它可以帮助实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动汽车驱动:** 在电动汽车驱动系统中,VBGMB1252N可以作为电机控制器的关键组件,用于实现电机的高效控制和运行。其低导通电阻和高漏极电流能够确保电动汽车系统的高性能。

3. **工业高压设备:** 对于需要高电压和高电流的工业设备,如高压电源、工业热处理设备等,VBGMB1252N是一个理想的选择。它可以提供可靠的功率开关和电源控制功能。

4. **太阳能逆变器:** 对于需要高效转换太阳能电能的逆变器系统,VBGMB1252N可以用作功率开关和电源控制器,确保逆变器系统的稳定性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询