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VBGMB12501M 产品详细

产品简介:

VBGMB12501M是一款单N沟道MOSFET,采用斜坡栅结构(SGT)技术,具有高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻,适用于中功率电子设备的设计。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 102mΩ
- 漏极电流(ID): 15A
- 技术: 斜坡栅结构(SGT)
- 封装: TO220F

领域和模块应用:


以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 汽车电子模块:
VBGMB12501M可用于汽车电子模块的设计,如电动汽车控制器、电池管理系统和车载充电器等。其高漏极-源极电压和低导通电阻使其能够在汽车电子系统中实现高效能量转换和电动驱动控制,提高车辆性能和能源利用效率。

2. 工业电源模块:
在工业电源系统中,VBGMB12501M可以作为各种工业电源模块的关键元件,如直流电源、开关电源和UPS电源等。其稳定性和可靠性使其成为工业控制系统中的重要组成部分,可用于提供稳定的电源供应和保障工业设备的正常运行。

3. LED照明模块:
作为LED照明系统的一部分,VBGMB12501M可用于设计LED驱动模块和灯具控制器。其低阈值电压和低导通电阻使其能够实现LED灯具的高效驱动和调光控制,提供稳定、节能的照明解决方案,适用于室内和室外LED照明应用。

4. 太阳能逆变器模块:
在太阳能发电系统中,VBGMB12501M可用于设计太阳能逆变器和电能转换器。其高漏极-源极电压和斜坡栅结构技术使其能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,适用于户用和商用太阳能发电系统,帮助提高太阳能发电效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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