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VBGMB1207N 产品详细

产品简介:

VBGMB1207N是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下详细参数:

- VDS(V): 200V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 20V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 68mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 20A - 漏极电流
- Technology: SGT - 使用SGT技术制造
- 封装: TO220F - TO220F封装形式

VBGMB1207N MOSFET适用于需要高性能、高功率和高效能量转换的应用,包括电源模块、工业控制模块和电动车辆模块等领域。

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产品参数:

产品型号: VBGMB1207N
品牌: VBsemi
参数: Single N
VDS(V): 200
VGS(±V): 20
Vth(V): 3
VGS=10V(mΩ): 68
ID (A): 20
Technology: SGT
封装: TO220F

领域和模块应用:

应用简介:

VBGMB1207N适用于多种领域和模块,例如:

1. 电源模块: 由于其高漏极-源极电压(200V)和较高的漏极电流(20A)能力,VBGMB1207N适用于电源模块,如开关电源、逆变器和DC-DC转换器。其低导通电阻(68mΩ)和高效的技术使其能够实现高效能量转换。

2. 工业控制模块: 该器件的高性能和可靠性使其成为工业控制模块的理想选择,例如工业自动化、机器人控制和运动控制系统。其稳定的特性和快速开关速度使其能够在高要求的工业环境中稳定运行。

3. 电动车辆(EV)模块: VBGMB1207N适用于电动车辆的功率电子模块,例如电动汽车的驱动器、充电器和电池管理系统。其高电压和电流承受能力以及低导通电阻可以满足电动车辆对高效能量转换和长期稳定性的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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