MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGMB1107 产品详细

产品简介:


- **Single N**: 单N沟道场效应晶体管。
- **VDS(V)**: 最大漏极-源极电压为100V。
- **VGS(±V)**: 门极-源极电压为±20V。
- **Vth(V)**: 阈值电压为2.5V。
- **VGS=10V(mΩ)**: 当门极-源极电压为10V时,导通状态下的导通电阻为8.1mΩ。
- **ID (A)**: 最大漏极电流为45A。
- **Technology**: 采用SGT(Super-Grain Technology)技术制造。
- **封装**: 使用TO220F封装。

VBGMB1107场效应晶体管适用于需要高性能、高可靠性的应用,包括电源模块、工业控制和电动工具等领域的模块设计。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 2.5
- VGS=10V(mΩ): 8.1
- ID (A): 45
- Technology: SGT
封装: TO220F

领域和模块应用:

应用简介:
VBGMB1107是一款高性能的场效应晶体管,适用于多种领域和模块,具有以下特点:
1. **电源模块**: 由于其较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,VBGMB1107可用于设计和制造功率放大器、开关电源和直流-直流转换器等电源模块,以实现高效的电能转换和供电功能。
2. **工业控制**: 在工业控制领域,需要高可靠性、高效能力的功率开关器件来实现精确的控制和调节。VBGMB1107的性能特点使其成为工业电源、电机驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备中的理想选择。
3. **电动工具**: 在电动工具中,需要能够提供稳定、可靠功率输出的功率器件来驱动电动马达。VBGMB1107适用于设计和制造各种电动工具,如电动钻、电动锯等,以实现高效的工作性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询